碳化硅陈建平

  • 2022年碳化硅行业深度研究报告(附下载)_腾讯新闻

    2022-1-25  碳化硅(SiC)是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。 由于碳化硅宽能

  • 半导体届“小红人”——碳化硅 - 知乎

    2019-10-9  与第一代半导体材料硅等单晶半导体材料相比,碳化硅具有以下优势: (1)临界击穿电场强度是硅材料近10倍; (2)热导率高,超过硅材料的3倍; (3)饱和电子漂移速度高,是硅材料的2倍; (4)抗辐照和化学稳定性

  • 观点 三安光电陈昭亮:碳化硅成新能源车800V时代的超强 ...

    2022-3-28  陈昭亮演讲的题目是“碳化硅产业化规模发展,助力高压快充信心满满”,共分为三个部分。 一、碳化硅成新能源车800V时代的超强风口 陈昭亮表示,碳化硅能很好地满足新能源汽

  • SiC争夺战一触即发! - 知乎

    2019-5-10  2019年5月8日,Cree宣布将投资10亿美元用于扩大SiC(碳化硅)产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC(碳化硅)生产工厂和一座材料超级工厂。 此次产能扩大, 将带

  • 碳化硅单晶生长工艺的研究 - 百度学术

    陈蛟. 摘要:. 作为第三代宽带隙半导体材料,碳化硅 (SiC)具有的宽带隙,高热导率,高饱和电子迁移率及优异抗辐射能力等优异性能,在高温,高频,高功率电子器件方面有着巨大的应用潜力.目前,

  • 《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术 高远 陈桥梁 著 ...

    9 小时前  京东JD.COM图书频道为您提供《碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术 高远 陈桥梁 著 高职高专教材 楚风书店》在线选购,本书作者:,出版社:机械工业出版社。买图书,到

  • 碳化硅SIC MOSFET隔离驱动电路,碳化硅MOS管隔离栅极 ...

    1 天前  碳化硅SIC MOSFET隔离驱动电路,碳化硅MOS管隔离栅极驱动 电路,无线电能传输,VPSC(源特科技)VPS8701 VPS8702 VPS8703 瞻芯电子IVCR1401 IVCR1412•SLM34x系

  • 碳化硅单晶生长工艺的研究 - 百度学术

    网页作者: 陈蛟 摘要: 作为第三代宽带隙半导体材料,碳化硅 (SiC)具有的宽带隙,高热导率,高饱和电子迁移率及优异抗辐射能力等优异性能,在高温,高频,高功率电子器件方面有着巨大的应用潜力.目前,由于我国SiC单晶产业起步较晚,碳化硅晶片技术仍存在较多困难,特别是大尺寸SiC单晶生长,加工技术急需提高.本论文针对SiC晶片生产中的一些重要技术问题,与企业

  • 碳化硅(SiC)衬底,未来大哥是谁! 前两天写了篇文章 ...

    网页2021-11-28  碳化硅是除了金刚有以外世界上第二硬的材料,切割非常困难,切一刀得好几百个小时,所以对系统设备的稳定性很高,要国内的设备很难满足这个要求,碳化硅是高附加值产品,现在还非常贵,一片6寸要7000-8000元,且一次是几十片上百片,几十万的价值量。 所以国内设备不敢用,80%-90%都是日本高鸟的设备。 2、研磨、抛光 机台基本类似,

  • 碳化硅行业发展及设备竞争格局解读交流_工艺

    网页2021-1-25  中国碳化硅的技术有两个源头,一个是中科院物理所陈小龙团队(孵化天科合达),还有一个大学是山东大学徐现刚团队(山东天岳)。 目前国内新成立的企业也基本是这两个公司离职的人员延伸出来。 天科合达是国内技术的源头,肯定是有一些核心的技术 2.与国外差异 和国外比是有差距的。 1)晶体的尺寸:导电:国外的主流是6寸,6寸供货量

  • 碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有 ...

    网页2022-3-2  其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。 核心用于功率+射频器件,适用于 600V 以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子 领域。 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。 相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁 带宽度是

  • 英飞凌:布局碳化硅是一场超级马拉松-国际电子商情

    网页2020-4-28  硅(Si)的电压范围是25V低压到1.7kV中压。 它的主流技术已经研发了数十年,从功率到小瓦特数,从移动电源到充电桩、光伏等等,这些技术应用已经非常成熟,是目前行业中普及度最高的基础材料之一。 而碳化硅(SiC)适用的电压范围从650V到3.3kV高压,因此适用于开关功率从中到高的大功率应用,应用的范围相比硅更广,例如风电、大

  • 又一项目签约!天岳、中科、中鸿等投资220亿布局碳化硅

    网页2021-4-19  天岳、中科、中鸿等投资220亿布局碳化硅. 4月15日,据官方通报,有6个项目签约落户山东庆云县,总投资8亿元,其中包括“ 飞莱特半导体碳化硅芯片及电子应用项目 ”。. 而据“三代半风向”不完全统计,从2017至今,山东全省合计布下了8个碳化硅项目,合计 ...

  • 碳化硅SIC MOSFET隔离驱动电路,碳化硅MOS管隔离栅极 ...

    网页1 天前  碳化硅SIC MOSFET隔离驱动电路,碳化硅MOS管隔离栅极驱动 电路,无线电能传输,VPSC(源特科技)VPS8701 VPS8702 VPS8703 瞻芯电子IVCR1401 IVCR1412•SLM34x系列是2020年上海数明半导体发布的第一款隔离驱动芯片,也是国内首款兼容光耦的隔离 ...

  • 论文|半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展

    网页2021-8-25  摘要:碳化硅 ( SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。 基于 SiC 材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。 近 20 年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展, SiC 材料及器件在雷

  • 第三代半导体大热,揭秘骗子露笑科技!

    网页2021-7-12  碳化硅主要用在功率器件上,现在最热的就是用在电动车上,因为带来电力损耗减少,能够提高电动车的续航。 以后在光伏和风电发电中,用上碳化硅的话,也能够提高发电效率,促进度电成本下降。 所以在这么一个政治家推动的电气化时代,其需求是很迫切的。 氮化镓则主要是用于微波器件上,比如5G基站的射频芯片就要用到它,否则效果就比

  • 2021双创活动周|陈显平:用中国“芯”助力国产半导体芯片 ...

    2021-10-16  陈显平自豪地表示,基于第三代半导体碳化硅功率芯片的新能源汽车直流快充充电桩能实现更高的转换率、更高的功率密度、更快的充电速度,耐高低温和各种复杂环境,可靠性更好、使用寿命更长,可满足国家新基建新能源汽车充电桩建设各种应用场景需求 ...

  • 碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化

    2021-7-14  成果简介 碳化硅(SiC)晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料,在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。 但其晶体生长极其困难,只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术。 SiC晶体国产化,对避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”至关重要。 团队自1999年以来,立足自主研发,从基础研究到应用研究,突破了生长设备到高质量SiC

  • 陈建平(中国地质大学(北京)教授、博士生导师)_百度百科

    1999-6-1  陈建平,男,汉族, 1959 年 6 月生于北京, 籍贯 福建 闽候。 国际数学地质协会 著名 讲坛 专委会亚太区负责 。 中文名 陈建平 出生地 北京 出生日期 1959 年 6 月 籍 贯 福建闽侯 目录 1 生平简介 2 教育经历 3 出版图书 4 主要职务 5 学术著作 生平简介 编辑 播报 教授,博士后, 博士生导师 ,中共党员。 教育经历 编辑 播报 1976 年 3 月参加工作, 1982 年毕业 成都地质学

  • “新能半导”大时代新核“芯”——一文读懂碳化硅

    2022-2-18  方正证券吕卓阳、陈杭认为,目前碳化硅受限于良率及技术影响,国内供需仍存缺口,有效产能不足。 未来几年SiC上游材料端市场将深度受益于汽车电动化、电动汽车配套设备建设、5G基站及数据中心建设等下游应用端需求增长,未来可期。

  • 又一项目签约!天岳、中科、中鸿等投资220亿布局碳化硅

    2021-4-19  2021年2月19日,山东青岛的 中科钢研 碳化硅集成电路产业园项目一期主体竣工,已经进行内部洁净车间施工。 二期预计6月份主体竣工,年内可实现投产。 据介绍,2017年7月该项目签约,2018年5月正式开工,项目总建筑面积3万平方米,总投资10亿元,全部达产后可年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片、5000片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。 富能半导体:

  • 碳化硅衬底设备行业深度报告:新能源需求兴起,国产替代有 ...

    2022-3-22  其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。 核心用于功率+射频器件,适用于 600V 以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子 领域。 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。 相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁 带宽度是硅的 3 倍;导热率为硅

  • 碳化硅基PK硅基氮化镓:谁是半导体应用的赢家?

    2021-8-23  碳化硅独特的电子和热性能使其非常适合先进的高功率和高频半导体器件,其性能远远超过硅或砷化镓的性能。 碳化硅基技术的关键优势包括降低开关损耗、更高的功率密度、更好的散热和更高的带宽容量。 在系统层面,可以实现高度紧凑的解决方案,大大提高功率效率,降低成本。 利用碳化硅技术的当前和预计商业应用的快速增长包括5G无线基站天线中的RF功率放大器和其

  • 【方正电子科技】碳化硅(SiC) 行业研究框架——“新能 ...

    2022-2-18  陈 杭:方正证券研究所所长助理科技行业首席分析师,北京大学硕士,曾就职于买方投资机构,后加入卖方研究负责电子、半导体与新经济行业 ...

  • 【全网最全】 2022年中国碳化硅行业上市公司全方位对比(附 ...

    2022-7-11  碳化硅、第三代半导体行业作为近年来的主要技术突破口,同样也是国家“十四五”重点规划的内容,预计行业规模将会持续扩大,企业规模、技术水平将会进一步提升。 2、碳化硅行业上市公司业务布局对比 在中国碳化硅行业的发展中,天岳先进、有研新材作为碳化硅领域的主要企业,在技术水平、业务规模方面拥有较大的优势。 从整体行业上市企业布局来看,企业大多

  • 碳化硅SIC MOSFET隔离驱动电路,碳化硅MOS管隔离栅极 ...

    1 天前  碳化硅SIC MOSFET隔离驱动电路,碳化硅MOS管隔离栅极驱动 电路,无线电能传输,VPSC(源特科技)VPS8701 VPS8702 VPS8703 瞻芯电子IVCR1401 IVCR1412•SLM34x系列是2020年上海数明半导体发布的第一款隔离驱动芯片,也是国内首款兼容光耦的隔离 ...